产品中心

PRODUCT CENTER

首页    芯片    电源管理    MOSFET    场效应管

场效应管

产品详情

ID 产品描述 PD(W) ID(A) V(BR)DSS(V) RDS(on) Max.(mΩ) VGS(th)(V) 封装方式 规格书
PTAP1300 N沟道场效应管 1.56 6.2 20 28@VGS=3.3V, ID=3A 0.6@ID=250uA SMT
PTAP1301 P沟道场效应管 1.2 -3.1 -20 100@VGS=-3.3V, ID=-2A -0.6@ID=-250uA SMT
PTAP13S1 P沟道场效应管 1 -2.3 -20 210@VGS=-2.5V, ID=-1A -0.6@ID=-250uA SMT
PTAP1302 N沟道场效应管 1.2 4.5 20 45@VGS=2.5V, ID=1A 0.6@ID=250uA SMT
PTAP13S2 N沟道场效应管 1 3.2 20 80@VGS=2.5V, ID=1A 0.6@ID=250uA SMT
PTAP1305 P沟道场效应管 1.25 -4.2 -20 60@VGS=-2.5V, ID=-2A -0.6@ID=-250uA SMT
PTAP1306 N沟道场效应管 1.5 5.1 30 50@VGS=4.5V, ID=3A 1.6@ID=250uA SMT
PTAP1308 N沟道场效应管 1.56 3.8 60 90@VGS=4.5V, ID=2A 2@ID=250uA SMT
PTAP1309 P沟道场效应管 1 -2 -60 300@VGS=-4.5V, ID=-1A -1.5@ID=-250uA SMT
PTAP1310 N沟道场效应管 1.56 6.2 20 28@VGS=3.3V, ID=3A 0.6@ID=250uA SMT

PTAP1312 N沟道场效应管 1.56 6.8 20 22@VGS=3.3V, ID=4A 0.6@ID=250uA SMT

PTAP1400 N沟道场效应管 1.5 5.8 30 40@VGS=2.5V, ID=2A 1@ID=250uA SMT
PTAP1401 P沟道场效应管 1.2 -4 -30 80@VGS=-3.3V, ID=-3A -0.8@ID=-250uA SMT
PTAP1402 N沟道场效应管 1.5 5.1 30 80@VGS=2.5V, ID=1A 0.8@ID=250uA SMT
PTAP1404 N沟道场效应管 1.5 5 30 45@VGS=4.5V, ID=3A 1.6@ID=250uA SMT
PTAP1407 P沟道场效应管 1.25 -4 -30 85@VGS=-4.5V, ID=-3A -1.6@ID=-250uA SMT
PTAP1415 P沟道场效应管 1.5 -4.8 -20 65@VGS=-2.5V, ID=-2A -0.7@ID=-250uA SMT
PTAP1416 N沟道场效应管 1.56 6.5 20 25@VGS=2.5V, ID=2A 0.7@ID=250uA SMT
PTAP1702 场效应管 0.225 0.115 60 7000@VGS=5V, IC=50mA 1.3@ID=250uA SOT-23
PTAP17K2 场效应管 0.35 0.34 60 5300@VGS=4.5V, IC=200mA 1.3@ID=1mA SOT-23
PTAP17D2 场效应管 0.15 0.34 60 5300@VGS=4.5V, IC=200mA 1.3@ID=1mA SOT-363